Sự khác biệt giữa DDR2 và DDR3

Tác Giả: Laura McKinney
Ngày Sáng TạO: 2 Tháng Tư 2021
CậP NhậT Ngày Tháng: 11 Có Thể 2024
Anonim
Sự khác biệt giữa DDR2 và DDR3 - Công Nghệ
Sự khác biệt giữa DDR2 và DDR3 - Công Nghệ

NộI Dung


DDR2 và DDR3 là các phiên bản của bộ nhớ RAM DDR, trong đó DDR3 là phiên bản cao cấp hơn và được kích hoạt với nhiều khả năng hơn như tốc độ truyền dữ liệu cao, tiêu thụ điện năng thấp, tùy chọn đặt lại bộ nhớ, nhiều bộ nhớ hơn, v.v. Nhưng sự khác biệt chính nằm ở tốc độ dữ liệu trong đó DDR3 cung cấp gấp đôi tốc độ do DDR2 cung cấp.

Với sự tiến bộ trong công nghệ, các phiên bản bộ nhớ nhanh hơn cũng được phát triển như bộ nhớ DDR (Tốc độ dữ liệu kép). Khái niệm chính đằng sau bộ nhớ DDR là bằng cách áp dụng địa chỉ hàng cho chip, một số lượng lớn bit được truy cập cùng lúc bên trong chip.

Có một số kỹ thuật được sử dụng để tăng tốc độ truyền bit từ chân đến chip. Để sử dụng hiệu quả tốc độ đồng hồ, dữ liệu được vận chuyển ra bên ngoài đến các cạnh tăng và giảm của đồng hồ, đây là lý do những ký ức này được gọi là Tốc độ dữ liệu kép ký ức.


    1. Biểu đồ so sánh
    2. Định nghĩa
    3. Sự khác biệt chính
    4. Phần kết luận

Biểu đồ so sánh

Cơ sở để so sánhDDR2DDR3
Tần số đồng hồ (lý thuyết)400 - 800 Mhz800 - 1600 Mhz
Tốc độ truyền dữ liệu400 - 800 Mbps800 - 1600 Mbps
Cung câp hiệu điện thê1,8 volt1,5 volt
Tìm nạp trước chiều rộng bit4 bit 8 bit
Tùy chọn thiết lập lại bộ nhớKhông cung cấp tùy chọn thiết lập lạiCung cấp
Sự tiêu thụ năng lượngCaoThấp
Tốc độChậm hơn so vớiNhanh hơn
Độ trễ2 - 57 - 11
Hiệu suấtTốt hơn DDR3Trung bình cộng
Giá cảÍt hơnHơn


Định nghĩa của DDR2

Các DDR2 là phiên bản thứ hai của bộ nhớ DDR (Tốc độ dữ liệu kép). Các phiên bản RAM này được phát triển để đạt được tốc độ dữ liệu cao cho việc chuyển khối. Nó có thể chuyển dữ liệu ở tốc độ xung nhịp 400 đến 1066 Mhz.

Phiên bản DDR 2 là sự kế thừa của DDR, trong đó thay đổi chính được áp dụng cho tần số hoạt động của chip RAM và bộ đệm tìm nạp trước và số lượng của cả hai tham số đã được tăng lên. Bộ đệm tìm nạp trước là bộ nhớ cache 4 bit, nằm trong chip RAM của DDR2. Bộ đệm được sử dụng trong chip RAM để đặt trước bit trong bus dữ liệu càng nhanh càng tốt.

DDR2 là kiến ​​trúc DIMM (Mô-đun bộ nhớ kép) 240 pin hoạt động ở mức 1,8 volt. Các DIMM này bao gồm một hoặc nhiều chip RAM trong một bo mạch duy nhất được kết nối với bo mạch chủ. Điện áp của DDR2 được giảm từ công nghệ DDR trước đây để loại bỏ hiệu ứng nhiệt.

DDR sử dụng thiết kế DIMM 144 pin và các chức năng ở điện áp 2,4 volt. Không có khả năng tương thích giữa DDR2 và DDR, vì cả hai đều sử dụng ổ cắm bo mạch chủ và khóa DIMM khác nhau.

Định nghĩa của DDR3

DDR3 là phiên bản nâng cao của DDR2 đã tăng bộ đệm tìm nạp lên 8 bit và tần số hoạt động lên tới 1600 Mhz. Tuy nhiên, lượng điện năng đã giảm xuống 1,5 volt cũng làm giảm hiệu ứng làm nóng của tần số cao. Cấu trúc pin của DDR3 cũng có 240 chân, nhưng chúng không thể được sử dụng trong RAM bo mạch chủ của DDR2 do các phím được ghi khác nhau.

Trong DDR3 có một tùy chọn duy nhất có sẵn để xóa bộ nhớ bằng hành động đặt lại phần mềm, tức là đặt lại bộ nhớ. Tùy chọn đặt lại bộ nhớ đảm bảo rằng bộ nhớ sẽ bị xóa và trống sau khi khởi động lại hệ thống.

  1. Bộ nhớ DDR2 hoạt động trên phạm vi 400 đến 800 Mhz và tạo ra tốc độ dữ liệu lên tới 800 Mbps. Ngược lại, DDR3 hoạt động trên dải tần từ 800 đến 1600 Mhz và tạo ra tốc độ truyền dữ liệu lên tới 1600 Mbps.
  2. DDR2 tiêu thụ nhiều năng lượng hơn vì điện áp được cung cấp cho nó là 1,8 volt. Ngược lại, đối với DDR3, điện áp được cung cấp là 1,5 volt nhỏ hơn DDR2 và nó cũng làm giảm đáng kể hiệu ứng làm nóng phát sinh do tần số cao.
  3. Bộ đệm tìm nạp trước trong DDR2 có kích thước 4 bit trong khi DDR3 chứa bộ đệm 8 bit.
  4. Tùy chọn đặt lại bộ nhớ có sẵn trong DDR3 nhưng không có trong DDR2.
  5. DDR3 tương đối nhanh hơn DDR2.
  6. Giảm độ trễ hiệu năng tốt hơn, DDR2 có giá trị độ trễ ít hơn và có hiệu suất tốt hơn so với DDR3.
  7. DDR3 đắt hơn DDR2.

Phần kết luận

DDR2 là phiên bản cũ hơn và là một công nghệ lỗi thời, và DDR3 là phiên bản sau của DDR, nơi DDR3 được cải tiến và cung cấp nhiều tính năng hơn như tăng dung lượng lưu trữ, tiêu thụ điện năng thấp, tốc độ xung nhịp nhanh hơn, linh hoạt hệ thống.